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长鑫存储被曝窃取三星DRAM技术，前三星工程师获刑7年
韩国一家法院审理的一起涉及三星电子技术泄露的刑事案件中，有证词显示，中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）制造商长鑫存储（CXMT）曾计划获取三星与其存储工艺技术相关的知识产权，以开发自己的生产节点。据《每日经济新闻》报道，长鑫存储的管理层据称从一开始就没有打算从零开始自主研发工艺技术，因此从三星获取IP被视为一项战略决策。 这一意图是长鑫存储商业计划中的关键部分，而非在其自身DRAM工艺开发启动后才临时起意获取三星技术。上述证词来自一位姓全（Jeon）的前三星工程师，他在三星工作了28年，大约在2016年跳槽至长鑫存储。今年4月，全某因非法获取涉及三星DRAM制造工艺（尤其是18nm级节点）的600步工艺配方（PRP）信息，被判处七年监禁。 “从一开始，长鑫存储的CEO和CTO就试图通过窃取三星电子的工艺配方信息来开发DRAM。”全某本周在法庭上作证称，“长鑫存储在成立时没有研究机构或设施，也没有打算通过自己的研究来开发技术。” 复制配方并不自动意味着就能获得可用的工艺。尽管如此，一份详细的工艺配方可以大幅缩短任何生产节点的开发周期，因为它揭示了诸如步骤顺序、沉积或蚀刻条件、退火、清洗、注入参数、温度、压力、工具类型等关键信息。对于存储工艺而言，现成的工艺配方可以省去大量试错过程，并揭示工艺集成应该如何运作。同时，即使要确保配方按预期工作，也需要获得相同或兼容的工具，并相应调整其特性。 然而，虽然工艺配方可能有助于加速任何制造技术的推进，但配方本身并不一定揭示完整的晶体管架构或物理设计。为此，窃取者还希望获得诸如截面结构、掩模/布局信息、设计规则、器件尺寸、电容器几何形状、工艺窗口等细节。对于一项全新的制造技术来说，这些细节并不容易获得，但可以通过对已出货产品进行逆向工程来获取。将工艺配方与逆向工程相结合，可以大大加速技术开发进程。 特别
